一次非常坑的仿真记录。

本来是想仿真一次工艺过程,生成一个带场环结构的pn结(代码1)。结构生成好之后发现,sdevice死活跑不出反向耐压特性。
具体情况是:用continuation扫描,它会在我设置的仿真终点之前就停止了。
用quasistionary扫描,电流一直很小,且振荡的厉害。如下图。
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后来尝试对照着flow建立一个平行平面结(代码2),省略有源区之外的操作,发现居然有耐压了。这证明了flow本身没有问题
于是开始改第一次写的代码,往平行平面结的方向改(代码3)。没有效果,点参数还是振荡的。(这期间发现一个很奇葩的区别,用tdr=@name@输出的tdr结果文件,只有线性的描述,没有实际图形。用smesh=@name@输出的tdr文件,是有图形的。但是对于复杂的结构,tdr=和smesh=的输出是一样的)

没有办法,开始对比代码2和代码3,一句句对比,看看到底是哪里出了问题。

后来终于发现,原来是淀积铝的时候,没有把薄氧阻挡层去掉,这导致了最后的电极没有连上硅表面。改掉之后电参数就正常了。
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可以看下面单独的一个项目,e_oxi = YES表示去掉了这层薄氧,NO表示没有去这层薄氧。
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