一次踩坑记录

一次非常坑的仿真记录。

本来是想仿真一次工艺过程，生成一个带场环结构的pn结（代码1）。结构生成好之后发现，sdevice死活跑不出反向耐压特性。
具体情况是：用continuation扫描，它会在我设置的仿真终点之前就停止了。
用quasistionary扫描，电流一直很小，且振荡的厉害。如下图。

后来尝试对照着flow建立一个平行平面结（代码2），省略有源区之外的操作，发现居然有耐压了。这证明了flow本身没有问题
于是开始改第一次写的代码，往平行平面结的方向改（代码3）。没有效果，点参数还是振荡的。（这期间发现一个很奇葩的区别，用tdr=@name@输出的tdr结果文件，只有线性的描述，没有实际图形。用smesh=@name@输出的tdr文件，是有图形的。但是对于复杂的结构，tdr=和smesh=的输出是一样的）

没有办法，开始对比代码2和代码3，一句句对比，看看到底是哪里出了问题。

后来终于发现，原来是淀积铝的时候，没有把薄氧阻挡层去掉，这导致了最后的电极没有连上硅表面。改掉之后电参数就正常了。

可以看下面单独的一个项目，e_oxi = YES表示去掉了这层薄氧，NO表示没有去这层薄氧。